Mod lisation Pr dictive Du Transistor Mosfet Fortement Submicronique (French, Paperback)

L'industrie des composants ULSI exige des investissements financiers de plus en plus lourds pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriques ainsi que pour les equipements necessaires a leur elaboration. De ce fait, la modelisation electrique des composants electriques constitue actuellement un axe de recherche tres convoite a travers le monde. Pour suivre cette evolution, les modeles existants doivent etre ameliores et de nouveaux modeles doivent etre developpes. Dans ce travail, on presente l'applicabilite des reseaux de neurones pour le developpement d'une approche analytique permettant l'evaluation de degradation des transistors MOSFETs, le developpement d'un modele neuronal de DG MOSFET qui permet d'etudier les circuits CMOS nanometriques et ainsi la possibilite de produire des abaques graphiques pour l'etude et l'optimisation de la reduction dimensionnelle des transistors DG MOSFETs. Les differents modeles developpes dans ce travail peuvent etre implementes dans les simulateurs electroniques (SPICE, CADENCE, . .) afin de tirer des conclusions pratiques qui sont de nature a interesser tous ceux qui sont appeles a realiser des circuits de technologie ULSI.