Traitement Plasma de Materiaux Organosilicies En Microelectronique (French, Paperback)


L'objet de cette etude est la gravure par plasma de materiaux hybrides SiOC(H). Leurs proprietes ajustables entre organiques et inorganiques leurs donnent de grandes potentialites. Ce travail est dedie a deux applications en microelectronique. 1)L'etude s'est portee sur des polymeres a base de Polyhedral oligomeric silsesquioxane appliquee a la lithographie optique. Les analyses ont ete particulierement poussees au moyens de mesures XPS et d'ellipsometrie. Ce travail a mis en evidence des effets de segregation en surface et a permis de developper un modele de la gravure en plasma oxydant. 2) Les materiaux SiOC(H) peuvent etre utilise comme isolant d'interconnexion grace a leur faible permittivite. Les plasmas fluorocarbones ont servi a obtenir une vitesse de gravure elevee et une grande selectivite avec le masque en SiC(H). Les caracterisations montrent que la composition du materiau est modifiee sur quelques nanometres, avec une diminution de la quantite de carbone et qu'une deuxieme couche fluorocarbonee s'y superpose. Des mesures du flux ionique et de la quantite de fluor atomique permettent de mieux apprehender les mecanismes de gravure qui regissent ces materiaux.

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Product Description

L'objet de cette etude est la gravure par plasma de materiaux hybrides SiOC(H). Leurs proprietes ajustables entre organiques et inorganiques leurs donnent de grandes potentialites. Ce travail est dedie a deux applications en microelectronique. 1)L'etude s'est portee sur des polymeres a base de Polyhedral oligomeric silsesquioxane appliquee a la lithographie optique. Les analyses ont ete particulierement poussees au moyens de mesures XPS et d'ellipsometrie. Ce travail a mis en evidence des effets de segregation en surface et a permis de developper un modele de la gravure en plasma oxydant. 2) Les materiaux SiOC(H) peuvent etre utilise comme isolant d'interconnexion grace a leur faible permittivite. Les plasmas fluorocarbones ont servi a obtenir une vitesse de gravure elevee et une grande selectivite avec le masque en SiC(H). Les caracterisations montrent que la composition du materiau est modifiee sur quelques nanometres, avec une diminution de la quantite de carbone et qu'une deuxieme couche fluorocarbonee s'y superpose. Des mesures du flux ionique et de la quantite de fluor atomique permettent de mieux apprehender les mecanismes de gravure qui regissent ces materiaux.

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Product Details

General

Imprint

Omniscriptum

Country of origin

United States

Series

Omn.Univ.Europ.

Release date

February 2018

Availability

Expected to ship within 10 - 15 working days

First published

October 2010

Authors

Dimensions

229 x 152 x 15mm (L x W x T)

Format

Paperback - Trade

Pages

264

ISBN-13

978-6131537745

Barcode

9786131537745

Languages

value

Categories

LSN

6131537747



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